FS-300磁控溅射主要参数
l极限真空度：2.0×10-5Pa；
l抽真空时间：40分钟内，≤5.0×10-4Pa；
l基片加热温度：0-600℃（日本导电温控仪表，PID控制，配置匀热装置）；
l基片架转动速度:0-100转/分可调
l基片尺寸：≤Φ100mm的圆片；
l样品数量：1-3个；
l溅射靶数量及靶材尺寸：1-3个;溅射靶尺寸,2-3英寸.
l真空室尺寸：Φ300×H300；（高度可改变）,圆形/方形可选
l靶基距调整距离：40~80MM可调
l靶轴线和基片旋转轴线夹角：可垂直溅射或者共焦溅射。
l真空系统:600L/S分子泵+8L/S机械泵(或根据客户要求的其它泵)
l真空测量:1.0*10E5Pa--1.0*10E-5Pa
l膜厚测量: 石英晶振膜厚探头(水冷)1-4个+膜厚显示仪/或PC机显示
l设备框架:可采用焊接结构或铝型材搭建结构
l电气控制:PLC+PC机或PLC+触摸屏,真空系统自动/手动可选.
l气路:高精度质量流量计1-4路可选
l电源:直流+射频/直流+中频