主要用途：
设备用于生长光学晶体、超导体和有机化合物等薄膜材料，以及其它高熔点、多元素及含有气体元素的复杂层状超晶格薄膜材料和多层薄膜材料。
系统主体结构：
系统由真空腔室(外延生长室、进样室)、样品传递机构、旋转样品架、真空系统、真空测量、电器控制、气体、计算机控制等各部分组成。具体如下:
外延生长室：超高真空环境下完成材料外延生长, 尺寸￠ 450mm, 极限真空:5.0X10-8Pa
进样室：快速进样，并保证外延室超高真空环境,尺寸￠ 200X300mm, 极限真空:5.0X10-5Pa
基片台: 旋转,0-100转/分,加热,0-600度;公转
高能电子衍射仪：可原位监测生长过程
CCD成像：观察衍射光点图像、强度变化，采集数据，储存，打印
四极质谱仪：系统检漏和腔内残气分析
电器控制系统：精确控制温度、转速、位移
气体电离系统：专利技术设计，保证超高真空下工作需求
脉冲准分子激光器：（用户可选购）
激光束扫描系统：
计算机控制系统：自动控制加热，旋转，位移，激光束扫描（用户可选购）